代码一：#define Writeflash(addr,dat) *((volatile INT16U *)(addr<<1))=(INT16U)dat#define Readflash(addr) (*((volatile INT16U *)(addr<<1)))/*addr为读写操作的半字地址，data则为要写入的半字数据。因为ARM处理器是以字节为单位进行数据处理的，而SST39VF160是16位数据宽度，所以，addr地址必须左移1位。*/代码二：//擦除是否为空int SST39VF160_CheckBlank(INT32U addr,INT32U WordSize) {INT32U i,temp;for (i=addr;i<(addr+WordSize);i++){temp=*((volatile INT16U *)(i<<1)); //地址左移一位，也就得到16位的数据了。if(temp!=0xffff) //因为扇区被擦除后，扇区的各位都是1.所以判断temp是否等于0xffff //0xffffreturn 0; //如果扇区的各个地址都不为0xffff；则返回0}return 1; }

在网上看到这么一段话，我琢磨不透。“S3C44B0X是按照字节编址的，而Flash ROM是以16位为一个存储单元”是怎样推出要“偏移一位”呢？代码一的注释和上一段一样，也没有给出是如何推导出来的。而且代码二中的下面这行代码的注释更是让我不解。前面的i被定义成INT32U 型，怎么通过左移一位就可以得到16的数据呢？恳请各位大侠给出较为详细的解释.temp=*((volatile INT16U *)(i<<1)); //地址左移一位，也就得到16位的数据了。 解答：关于那个错位，我不知道能不能跟你说清楚。首先，SST39VF16 FLASH是16位的，也就是以两个字节（半字）为最小操作单位的。也就是说你在FLASH地址上给0x00000,则它给出的数据是第一个16位的半字；在FLASH地址上给0x00001,它给出的是第二个16位的半字；在FLASH地址上给0x00002,它给出的是第三个16位的半字。。。但ARM的地址是以字节编址的，它可以以字节单位来读取或者写外设。假设我们要读取FLASH的第一个字节，LDRB R0,[R1];将R1内容写0x00000,这个时候ARM执行的是这样的操作：1、送出地址0x000002、在D0-D15上读取数据3、将读到的16位数据的低8位给R0低8位（高24位为0）假设我们要读取FLASH的第二个字节，LDRB R0,[R1];将R1内容写0x00001，这个时候ARM执行的是这样的操作：1、送出地址ox000012、在D0-D15上读取数据3、将读到的16位数据的高8位给R0的低8位（高24位为0）从上面的操作可以看到，如果我们一一对应的将ARM和FLASH得地址连接，那么我们想读FLASH的第2个字节的话，就没有办法读到了。因为你地址给0x00001,FLASH就在数据线上给的是第3个字节和第4个字节的数据，并将高8位（FLASH的第4个字节）给R0;如果你给的地址是0x00000的话，ARM的理解就是将数据线D0-D15的低8位给R0，显然这个16位的数据是FLASH的第1个字节和第2个字节的数据，低8位指的就是第一个自己的数据。显然怎么也读不到FLASH的第2个数据。我们既要遵循ARM的规则，又要让FLASH给我们正确的数据。你自己想应该怎么办？很简单，把ARM给的地址最低位剪掉，把剩下的给FLASH。要读第2个字节，还是送0x00001，但是最后的1被剪掉了，FLASH得到的地址是ox00000,显然给出的数据是第1个和第二个字节。而ARM觉得送出的地址是0x00001啊，应该把高地址给R0啊，即把第2个字节给了R0。就是一个“欺上瞒下”的过程。